靶材提純方法

在VLSI的制造過程中重復(fù)使用的濺射過程是一種物理氣相沉積（PVD）技術(shù)，并且是制備電子薄膜材料的主要技術(shù)之一。

歐凱的目標(biāo)指出，濺射過程中離子源產(chǎn)生的離子被加速并在高真空中積聚，形成高速能量離子束，轟擊固體表面，并且在離子之間發(fā)生動(dòng)能交換。 固體表面原子。 固體表面上的原子離開固體，并沉積在基材表面上。 被轟擊的固體是用于通過濺射方法沉積薄膜的原材料，被稱為濺射靶。

濺射靶材的種類很多，甚至相同材料的濺射靶材也具有不同的規(guī)格。 根據(jù)不同的分類方法，濺射靶可分為不同的類別。主要分類如下：

按形狀分類：長目標(biāo)，方形目標(biāo)，圓形目標(biāo)

按化學(xué)成分分類：金屬靶材（純金屬鋁，鈦，銅，鉭等），合金靶材（鎳鉻合金，鎳鈷合金等），陶瓷靶材（氧化物，硅化物，碳化物），硫化物 等）

按應(yīng)用領(lǐng)域分類：半導(dǎo)體芯片目標(biāo)，平板顯示器目標(biāo)，太陽能電池目標(biāo)，信息存儲(chǔ)目標(biāo)，I修改目標(biāo)，電子設(shè)備目標(biāo)，其他目標(biāo)。

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